• BIST 90.383
  • Altın 144,409
  • Dolar 3,6117
  • Euro 3,9021
  • İstanbul 12 °C
  • Ankara 17 °C
  • İzmir 22 °C
  • "Erdoğan'ı Öldürün" Pankartı Açıldı Fatih Tezcan Uyardı!
  • 18 MART ÇANAKKALE İNGİLİZ ZAFERİ Mİ?
  • 15 Temmuz'da FETÖ Darbesini İlk Haber Veren ve Milleti Meydanlara Çağıran Fatih Tezcan'a FETÖ'ye Hakaretten Dava!
  • "Erdoğan'ı Öldürün" Pankartı Açıldı Fatih Tezcan Uyardı!
  • 18 MART ÇANAKKALE İNGİLİZ ZAFERİ Mİ?
  • 15 Temmuz'da FETÖ Darbesini İlk Haber Veren ve Milleti Meydanlara Çağıran Fatih Tezcan'a FETÖ'ye Hakaretten Dava!

ASELSAN'dan Kritik Hamle!

ASELSANdan Kritik Hamle!
Savunma Sanayii Müsteşarı Murad Bayar, ilk olarak savunma teknolojileri alanında kullanılmaya başlanan Galyum Nitrat (GaN) maddesinin Türkiye'deki geliştirme çalışmalarına ilişkin, ''Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz'' dedi.

ASELSAN ile Bilkent Üniversitesi Nanoteknoloji Araştırma Merkezi (NANOTAM) arasında ''Galyum Nitrat (GaN) Transistör ve Tümleşik Devre Yapımı İçin İleri Teknoloji Yatırımı'' konusunda mutabakat muhtırası törenle imzalandı.

Törende konuşan Savunma Sanayii Müsteşarı Bayar, ASELSAN ile birlikte sistem mühendisliğinin tasarım ve modüle kadar yol aldığını, şimdi de malzeme üretimine geçileceğini söyledi.

Bayar, bu teknolojinin radar üretiminde kullanılacağını belirterek, ''Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz'' dedi.

ASELSAN Genel Müdürü Cengiz Ergeneman da radar gibi gelişmiş sistemleri Türkiye'nin üretmesi, başka ülkelere bağlı kalınmaması için bu ürünlerin geliştirilmesi gerektiğini ifade etti.

Bilkent üniversitesi Rektörü Prof. Dr. Abdullah Atalar da bu projenin, üniversitelere araştırma için verilen kaynakların gerçek hayatta faydalı işlere dönüştüğünün güzel bir örneği olacağını kaydetti.

GAN TRANSİSTÖRLER 2016 YILINDA ÜRETİLECEK
ASELSAN Radar Elektronik Harp ve İstihbarat Sistemleri (REHİS) Grubu Tasarım Direktörü Oğuz Şener de bu ürünün dünyada 4 ülkede üretildiğini, ancak satışının sınırlı ve izine tabi olduğunu belirtti.

Şener, ABD'den bir miktar malzeme alınabildiğini, üstünün sınırlı olarak bile verilmediğini belirterek, Avrupa'da bazı fabrikaların üretime başladığını, ancak kalitesinin nasıl olduğunun henüz belirlenmediğini söyledi.

Türkiye'de GaN üretim altyapısı kurma ve geliştirme sürecinin 2014'te tamamlanacağına dikkati çeken Şener, yeni nesil milli radarlarda kullanılacak ilk GaN transistörlerinin üretiminin 2016 yılında gerçekleştirileceğini bildirdi.

Bilkent Üniversitesi NANOTAM Direktörü Prof. Dr. Ekmel Özbay da 10 yıl süren çalışmalar sonucunda Türkiye'de GaN teknolojisinin geliştirildiğini belirterek, artık bu teknolojinin ticari olarak kullanılacak aşamaya geldiğini vurguladı. 

Özbay, bu teknoloji ile yüksek güçlü GaN nanotransistörleri ve nanofabrikasyon malzeme üretileceğini söyledi.

GAN TEKNOLOJİSİ NEDİR 
Alınan bilgilere göre, GaN teknolojisi fiziksel özellikleri nedeniyle son yıllarda tüm dünyada üstünde yoğun çalışmalar yapılan yeni bir yarı iletken malzeme. GaN teknolojisinin hem sivil hem de askeri bir çok alanda kullanılması hedefleniyor.

Bu konudaki yatırımlarla, radar, uydu aktarıcı, karıştırıcı ve yeni nesil cep telefonu sistemlerinde uygulama alanı bulması beklenen ve savunma sanayi alanında sağladığı kritik avantajlar nedeniyle ihracat izni sorunları yaşanan GaN teknolojisine dayalı ürünlerin milli imkanlarla üretilmesi sağlanmış olacak.

GaN teknolojisine hakim olunması ile özellikle radarların önemli bir parçası olan güç transistörleri yarı büyüklükte ve 5 kat daha güçlü olacak.



UYARI: Küfür, hakaret, rencide edici cümleler veya imalar, inançlara saldırı içeren, imla kuralları ile yazılmamış,
Türkçe karakter kullanılmayan ve büyük harflerle yazılmış yorumlar onaylanmamaktadır.
Yorumlar
Turgay Bekin
2012-09-28 05:35:54
Cennetmekan Sultan 2. Abdulhamid han vizyonunda onderler lazim.
Diğer Haberler
Tüm Hakları Saklıdır © 2006 Analiz Merkezi | İzinsiz ve kaynak gösterilmeden yayınlanamaz.
Haber Scripti: CM Bilişim